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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado

IXYS MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
Hoja de datos
397En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
Hoja de datos
23En existencias
2.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
Hoja de datos
600Fecha prevista: 22/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube