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SQJ211ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ211ELP-T1_GE3
Price: 1.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SQJ211ELP-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQJ211ELP-T1_GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQJ211ELP-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,57 €	1,57 €
	1,11 €	11,10 €
	0,796 €	79,60 €
	0,635 €	317,50 €
	0,594 €	594,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,516 €	1.548,00 €
	0,514 €	3.084,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK SO-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	33.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	32.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	45 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	68 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	SQJ
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

SQJ211ELP-T1_GE3 Hoja de datos

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQJ211ELP Auto P-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SQJ211ELP Auto P-Channel 100V MOSFET features -100V_DS drain-source current in a PowerPAK® SO-8L package with gullwing leads. This MOSFET features on-resistance down to 30Ω at 10V and a maximum operating temperature of +175°C. Vishay / Siliconix SQJ211ELP Auto P-Channel 100V MOSFET is AEC-Q101 qualified, 100% R_g and UIS tested, RoHS-compliant, and halogen-free.

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.