MOSFET de alta tensión de 600 V serie E SiHG47N60E de Vishay Siliconix

Los MOSFET de alta tensión de 600 V serie E SiHG47N60E de Vishay Siliconix ofrecen un factor de mérito (FOM) con Rds(on) de 64 mohms y una carga de compuertas de 147 nC a 10  que se traduce en pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas para ahorrar energía en aplicaciones de modo de conmutación de gran rendimiento y alta potencia. La serie SiHG47N60E E ayuda a los clientes a cumplir la certificación Energy Star 80 Plus.
Más información

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
2.785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
942En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube