π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 23
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 22.460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V 489.681En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 200 mA, 400 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10.463En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 8.998En existencias
18.000Fecha prevista: 15/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 6.314En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 19.353En existencias
8.000Fecha prevista: 01/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V 7.339En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 2.742En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V 4.864En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 33.487En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 3.893En existencias
140.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 1.593En existencias
6.000Fecha prevista: 11/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 16.738En existencias
21.000Fecha prevista: 12/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 1.008En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4.700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 3.991En existencias
32.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
59.086Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
24.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
8.000Fecha prevista: 08/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
8.000Fecha prevista: 11/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET
5.973Fecha prevista: 02/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms - 20 V, 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape