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NDSH20120C-F155

Name: onsemi NDSH20120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C-F155
Price: 8.03 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NDSH20120C-F155

Fabr. N.º:

NDSH20120C-F155

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L

Hoja de datos:

NDSH20120C-F155 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	26 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.75 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	119 A
Ir - Corriente inversa:	2.06 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120C-F155
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	214 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Hoja de datos

NDSH20120C-F155 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

NDSH20120C-F155 Silicon Carbide Schottky Diode

onsemi NDSH20120C-F155 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. NDSH20120C-F155 features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.