ADPA1116 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (POUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (PIN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the VGG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF GaN Wideband Power Amplifier ICs
Hoja de datos
87Fecha prevista: 13/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

300 MHz to 6 GHz 28 V 32.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C ADPA1116 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF GaN Wideband Power Amplifier ICs
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500
300 MHz to 6 GHz 28 V 32.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C ADPA1116 Reel