NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors are designed to simplify circuit design and feature high breakdown voltage, built-in resistors, reduced component count, and reduced pick/place costs. These transistors operate at -80V collector-emitter voltage (VCEO), -100mA output current (IO), and -55°C to 150°C ambient temperature range (Tamb). Typical applications include digital applications, cost-saving alternatives for the BC856 series, controlling IC inputs, and switching loads.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje colector-base VCBO Voltaje emisor-base VEBO Voltaje de saturación colector-emisor Pd (disipación de potencia) Producto fT para ganancia de ancho de banda Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Nexperia Transistores bipolares - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-8009-3 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel