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SiC641CD-T1-GE3

Name: Vishay SiC641CD-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIC641CD-T1-GE3
Price: 2.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIC641CD-T1-GE3

Fabr. N.º:

SiC641CD-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Productos de gestión de potencia especializada - PMIC 55A DrMOS 5V PWM PowerPAK (MLP31-55)

Hoja de datos:

SiC641CD-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,52 €	2,52 €
	1,89 €	18,90 €
	1,73 €	43,25 €
	1,56 €	156,00 €
	1,48 €	370,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,48 €	4.440,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Productos de gestión de potencia especializada - PMIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Serie:	SIC
Tipo:	General Purpose
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	MLP55-31
Voltaje de entrada - Máx:	16 V
Voltaje de entrada - Mín:	2.5 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Corriente de entrada:	55 A
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Aplicación:	Computers
Marca:	Vishay Semiconductors
Kit de desarrollo:	SiC641DB
Rango de voltaje de entrada:	2.5 V to 16 V
Corriente de suministro operativa:	120 uA
Voltaje operativo de suministro:	5 V
Producto:	Power Management Specialized - PMICs
Tipo de producto:	Power Management Specialized - PMIC
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Nombre comercial:	DrMOS

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Hoja de datos

SiC641CD-T1-GE3 Hoja de datos

PCN

REACH Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Etapa de potencia integrada de la serie SiC6xx DrMOS

La etapa de energía integrada DrMOS SiC620 de Vishay Semiconductors está optimizada para aplicaciones tipo buck síncronas para ofrecer alta tensión, gran eficacia y rendimiento de alta densidad de potencia. El SiC620, ofrecido en un paquete MLP de 5 mm x 5 mm patentado por Vishay, permite diseños de regulador de tensión de hasta 60 A de corriente continua por fase. Los MOSFET de alimentación internos utilizan la moderna tecnología TrenchFET Gen IV de Vishay que ofrece un rendimiento de referencia en el sector mediante la reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción.

El SiC620 incorpora un CI de controlador de compuerta MOSFET que ofrece una gran capacidad de control de corriente, control de tiempo muerto adaptativo, un diodo Schottky bootstrap integrado, y un aviso térmico (THWn) que alerta al sistema de la excesiva temperatura de unión y detección de corriente cero para mejorar la eficacia con carga ligera. Los controladores también son compatibles con una amplia gama de controladores PWM y admiten PWM de tres estados, lógica PWM de 3,3 V (SiC620A) / 5 V (SiC620).
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SiC641 55A VRPower® Integrated Power Stage

Vishay Semiconductors SiC641 55A VRPower^® Integrated Power Stage is designed for synchronous buck applications, delivering high current, efficiency, and power density with minimal shutdown current. The Vishay Semiconductors SiC641 is housed in a proprietary 5mm x 5mm MLP package. The SiC641 supports voltage regulators with up to 55A continuous current per phase. Featuring Vishay’s advanced TrenchFET^® technology, these devices minimize switching and conduction losses for industry-leading performance.