ADL8121 GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

Analog Devices Inc. ADL8121 GaAs (Gallium Arsenide) pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Low Noise Amplifier operates from 0.025GHz to 12.0GHz and provides a typical gain of 16.5dB. The ADL8121 Amplifier features a low a 2.5dB typical noise figure and a typical output third-order intercept (OIP3) of 36dBm. The 21.5dBm saturated output power (PSAT) enables the device to function as a local oscillator (LO) driver for many Analog Devices, Inc., balanced, in-phase and quadrature (I/Q), and image rejection mixers.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Valor de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
P1dB - Punto de compresión
OIP3 - Interceptación de tercer pedido
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF 0.1 12 GHz High Linear LNA
Hoja de datos
75Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF 0.1 12 GHz High Linear LNA
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 11 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Reel