NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches are designed to block voltage in both directions. A monolithic, integrated substrate-clamping circuit between each source and the common substrate automatically clamps the source-to-substrate voltage. Navitas’ unique substrate clamp technology delivers optimized switching performance during 4-quadrant operation compared to a floating-substrate switch, which can experience a "back-gating effect".

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT
Hoja de datos
138En existencias
450Fecha prevista: 31/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 450

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C