Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 3.79 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

942-IRF100B201

Fabr. N.º:

IRF100B201

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Hoja de datos:

IRF100B201 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies IRF100B201

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	192 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	170 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	441 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	StrongIRFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	100 ns
Transconductancia delantera: mín.:	278 S
Temperatura pico de soldadura:	+ 300 C
Número de contactos:	3
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	97 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	110 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Peso unitario:	2 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IRF100B201 Hoja de datos (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Malasia

El país puede cambiar en el momento del envío.

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.

PRODUCTOS DESTACADOS

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

Más información

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Delivers superior performance to OptiMOS 5 via robust power MOSFET technology.

Más información

MOSFET de potencia de N canales OptiMOS™ 7 de 25 V

Rendimiento optimizado para aplicaciones, que permite un rendimiento máximo para centros de datos, servidores & IA.

Más información

OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

Más información

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

Más información

En existencias: 92

Existencias:: 92

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 9.000

Fecha prevista: 19/11/2026

30.000

3.000

Fecha prevista: 04/12/2026

27.000

Fecha prevista: 02/09/2027
Plazo de producción de fábrica:: 52

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máximo: 3000

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,79 €	3,79 €
	2,48 €	24,80 €
	1,85 €	185,00 €
	1,55 €	775,00 €
	1,44 €	1.440,00 €

IRF100B201

Compartir esto

Fabr.: Infineon Technologies

Descripción: MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Especificaciones

Documentos (6)

Hoja de datos

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Otros clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS INFINEON

En existencias: 92

Precio (EUR)

Vista rápida

Se ha producido un error inesperado.

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

PRODUCTOS DESTACADOS

INFINEON