NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate. 

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Hoja de datos
827En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Hoja de datos
819En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Hoja de datos
36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Hoja de datos
205En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC