OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package. 

Resultados: 58
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Bobina: 1.800

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Bobina: 1.800

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si Reel