Automotive Power MOSFETs

onsemi  Power MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low Qg/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

Resultados: 10
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
onsemi MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 05 MOHMS MAX
Hoja de datos
874En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 185 nC - 55 C + 175 C 198.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option
Hoja de datos
10.243En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Hoja de datos
144En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A
Hoja de datos
1.497En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Hoja de datos
67En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A
Hoja de datos
8.807En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Hoja de datos
48En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A
Hoja de datos
162En existencias
2.000Fecha prevista: 10/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 187 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 90.4 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A Wettable Flank Option
Hoja de datos
749En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube