DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material. The DIF065SIC0x0 features a low gate charge and on-state resistance. The devices operate at a 650V drain-source voltage with a junction temperature of -55°C to +175°C.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial


Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 20 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIF065SIC020
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 105 A 30 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C Enhancement DIF065SIC030