Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl 5.499En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg 1.155En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7 870En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg 912En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl 589En existencias
1.000Fecha prevista: 26/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg 593En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel