MMBT3904T RSG

Taiwan Semiconductor
821-MMBT3904TRSG
MMBT3904T RSG

Fabr.:

Descripción:
Transistores bipolares - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

Modelo ECAD:
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En existencias: 5.709

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,181 € 0,18 €
0,108 € 1,08 €
0,068 € 6,80 €
0,05 € 25,00 €
0,044 € 44,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,035 € 105,00 €
0,032 € 192,00 €
0,026 € 234,00 €
0,025 € 600,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
NPN
Single
200 mA
40 V
60 V
6 V
300 mV
150 mW
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marca: Taiwan Semiconductor
Corriente continua del colector: 200 mA
Colector CC/Ganancia base hfe Min: 30
Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 300
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (VCBO), 40V of collector-to-emitter voltage (VCEO), and 6V of emitter-to-base voltage (VEBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (PD) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.