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NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 68.19 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NXV08H300DT1

Fabr. N.º:

NXV08H300DT1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET APM17-MDC MV7 80V AL2O3 2 PHASE

Hoja de datos:

NXV08H300DT1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	68,19 €	68,19 €
	54,57 €	545,70 €
	51,66 €	5.166,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	APM-17
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	650 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	NXV08H300DT1
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Half-Bridge
Tiempo de caída:	290 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	475 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Automotive Power MOSFET Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	608 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	235 ns

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Hoja de datos

NXV08H300DT1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H300DT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H300DT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H300DT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and CO₂ emissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H300DT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.