RxP120BLFRA Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Power MOSFETs are automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. The devices supply 100V drain-source breakdown voltage, 62mΩ static drain-source on-state resistance, and ±12A continuous drain current. The ROHM RxP120BLFRA Power MOSFETs are ideal for automotive applications, including ADAS, infotainment, lighting, and body.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 100V
Hoja de datos
2.100En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN7 N CHAN 100V
Hoja de datos
3.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape