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LSIC1MO120G0040

Name: IXYS LSIC1MO120G0040
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO120G0040
Price: 23.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

576-LSIC1MO120G0040

Fabr. N.º:

LSIC1MO120G0040

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET de SiC TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Hoja de datos:

LSIC1MO120G0040 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	70 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	175 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	357 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	LSIC1MO120G0xxx
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs

IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs offer a 1200V drain-source voltage rating, 25mΩ to 160mΩ resistance range, and 14A to 70A currents. These MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications, and feature ultra-low on-resistance, low gate resistance, and normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs are ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, motor drives, battery chargers, and more.