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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH 613En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 2.7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH 163En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.2 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A 36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH 133En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH
2.833Fecha prevista: 16/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 26En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 1.95 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A 820En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 400 V 3 A 1.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A 30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 41 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3 1.114En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3 74En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 4.2 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220 No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3 No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.8 A 3.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 950V 4 A No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 2.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 17 nC 45 W SuperMESH Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 400V to 650V No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 38 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube