RBQx Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBQx Schottky Barrier Diodes are AEC-Q101 qualified high-reliability low IR diodes for general rectification. These diodes feature a power mold type, cathode common dual type, and Silicon epitaxial planar structure. The RBQx Schottky barrier diodes from ROHM Semiconductor are stored at -55°C to +150°C temperature range. These diodes function at +150°C junction temperature and 100A peak forward surge current. The RBQx Schottky barrier diodes are ideal for switching power supply.

Resultados: 28
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Tecnología
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 100V, 10A, TO-263S (D2PAK)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 770 mV 100 A 80 uA + 150 C AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 45V, 10A, ITO-220AB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 45 V 550 mV 50 A 10 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 100V, 20A, TO-263S (D2PAK)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 770 mV 100 A 140 uA + 150 C AEC-Q101 Reel