MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections. 

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor Tecnología Id: corriente de drenaje continuo Vds (Tensión separación drenador-fuente) Frecuencia de operación Ganancia Energía de salida Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel