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AFGHL50T65SQDC

Name: onsemi AFGHL50T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65SQDC
Price: 9.8 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-AFGHL50T65SQDC

Fabr. N.º:

AFGHL50T65SQDC

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

Hoja de datos:

AFGHL50T65SQDC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 900

Fecha prevista: 27/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 8

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	9,80 €	9,80 €
	5,79 €	57,90 €
	5,03 €	503,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	100 A
Pd (disipación de potencia):	268 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGHL50T65SQDC
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.:	100 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	EliteSiC
Peso unitario:	7,326 g

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Hoja de datos

AFGHL50T65SQDC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.