GAN039 CCPAK1212-Packaged Power GaN FETs

Nexperia GAN039 CCPAK1212-Packaged Power GaN FETs offer copper-clip package technology with low inductances, low switching losses, and high reliability. Wire-bond-free for optimized thermal and electrical performance, these devices provide a cascade configuration to eliminate the need for complicated drivers and controls. The surface-mount GAN039 FETs have top-side (CCPAK1212i) or traditional bottom-side (CCPAK1212) cooling to improve heat dissipation, providing added design flexibility. The CCPAK1212 and CCPAK1212i package styles feature a compact footprint. Flexible gull-wing leads provide robust board-level reliability for extreme temperature environments. Typical applications include servo motor drives, PV and UPS inverters, bridgeless totempole PFC, and soft switching converters.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
Nexperia FET de GaN GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 599En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 956En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement