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DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 0.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMT2004UFDF-7

Fabr. N.º:

DMT2004UFDF-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos:

DMT2004UFDF-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,559 €	0,56 €
	0,42 €	4,20 €
	0,288 €	28,80 €
	0,252 €	126,00 €
	0,228 €	228,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,181 €	543,00 €
	0,175 €	1.050,00 €
	0,164 €	1.476,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-2020-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	24 V
Id: corriente de drenaje continuo:	14.1 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	550 mV
Qg (carga de compuertas):	53.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	12.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	38.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	30.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3.9 ns
Peso unitario:	6,750 mg

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Hoja de datos

DMT2004UFDF-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMT2004UF N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET is a 24V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm² footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT2004UF MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The DMT2004UF MOSFET offers a 4.8-12.5mΩ on-state resistance, 0.55-1.45V gate threshold voltage, 11.2-14.1A continuous drain current, and 12.5W power dissipation. Switching performance includes a 38.6ns turn-off fall time, 9.6ns turn-on rise time, typical 30.8ns turn-off delay time, typical 3.9ns turn-on delay time, and 11.2ns recovery time. The 24V DMT2004UF N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.