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DMN3008SFG-7

Name: Diodes Incorporated DMN3008SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3008SFG-7
Price: 0.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMN3008SFG-7

Fabr. N.º:

DMN3008SFG-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

Hoja de datos:

DMN3008SFG-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,989 €	0,99 €
	0,616 €	6,16 €
	0,403 €	40,30 €
	0,312 €	156,00 €
	0,282 €	282,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,257 €	514,00 €
	0,225 €	900,00 €
	0,217 €	2.170,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

DMN3008SFG-13

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,92 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerDI3333-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.3 V
Qg (carga de compuertas):	41 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerDI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	DMN3008
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	63.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.7 ns
Peso unitario:	30 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

DMN3008SFG-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

DMN3008 Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN3008 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) while maintaining superior switching performance. This device is offered in a small form factor, thermally efficient POWERDI®3333-8 case, and supports higher density end products. Diodes DMN3008 is ideal for high-efficiency power management applications such as backlighting, power management functions, and DC-DC converters.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.