STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
40 A
147 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 1200
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 6,100 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium VCE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT features a low VCE(sat) of 1.65V (typical) at an IC of 20A. 

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200V H de STMicroelectronics son IGBT de alta velocidad desarrollados con una estructura Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop High-Speed avanzada de ST, estos IGBT presentan un tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a TJ=150 °C, incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce(sat)), hasta 2,1 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H son perfectos para suministros de alimentación ininterrumpible, máquinas soldadoras, inversores fotovoltaicos, corrección del factor de potencia y convertidores de alta frecuencia.
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En existencias: 801

Existencias:
801 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,84 € 2,84 €
1,57 € 15,70 €
1,15 € 115,00 €
0,98 € 490,00 €
0,869 € 1.042,80 €
0,853 € 2.047,20 €

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