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STGWA20H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20H65DFB2
Price: 2.87 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGWA20H65DFB2

Fabr. N.º:

STGWA20H65DFB2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

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	1,76 €	17,60 €
	1,21 €	121,00 €
	1,08 €	648,00 €
	0,946 €	1.135,20 €
	0,869 €	2.607,00 €
	0,856 €	4.622,40 €
	0,853 €	8.700,60 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	40 A
Pd (disipación de potencia):	147 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6,100 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium V_CE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT features a low V_CE(sat) of 1.65V (typical) at an I_C of 20A.

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200V H de STMicroelectronics son IGBT de alta velocidad desarrollados con una estructura Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop High-Speed avanzada de ST, estos IGBT presentan un tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a T_J=150 °C, incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (V_ce(sat)), hasta 2,1 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE_(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 1200 H son perfectos para suministros de alimentación ininterrumpible, máquinas soldadoras, inversores fotovoltaicos, corrección del factor de potencia y convertidores de alta frecuencia.
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