QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

Fabr.:

Descripción:
Transistores RF JFET 0.25 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores RF JFET
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marca: Qorvo
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2025D
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.