Módulos de potencia MOSFET SiC GEN3 de 1200 V

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [RDS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 188 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMX Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMX Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMX Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMX Tube