MOSFET DTMOS VI de alta tensión en paquete TOLL

Los MOSFET DTMOSVI de alta tensión de Toshiba en paquete TOLL ofrecen una resistencia drenaje-fuente baja y propiedades de conmutación de alta velocidad con una capacitancia baja. Esto los hace ideales para aplicaciones con fuentes de alimentación conmutadas. Este DTMOSVI de última generación ofrece la cifra de mérito RDS (ON) x Qgd más baja y está alojado en el nuevo paquete TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) con una conexión de fuente Kelvin para reducir las pérdidas de encendido y apagado.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1.058En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3.792En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1.232En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
6.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel