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GP2T030A170H

Name: SemiQ GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T030A170H
Price: 24.96 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

148-GP2T030A170H

Fabr. N.º:

GP2T030A170H

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GP2T030A170H Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	24,96 €	24,96 €
	20,86 €	208,60 €
	18,24 €	2.188,80 €
2.520	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.7 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	83 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	36 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.7 V
Qg (carga de compuertas):	233 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	564 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	GP2T
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	48 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	19 ns

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Hoja de datos

GP2T030A170H Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET

SemiQ GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET is engineered for medium-voltage high-power conversion applications, enabling more compact system designs at a large scale with lower system costs and higher power densities. This high-speed, switching planar D-MOSFET offers a reliable body diode that operates up to +175°C. The module is tested beyond 1900V and UIL avalanche tested to 600mJ. The series delivers low switching and conduction losses and low capacitance. The 1700V device also features a rugged gate oxide for long-term reliability and undergoes wafer-level burn-in (WLBI) to screen out potentially weak oxide devices. SemiQ GP2T030A170 QSiC 1700V SiC MOSFET is a four-pin TO-247-4L-packaged discrete with drain, source, driver source, and gate pins. Applications include solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, and motor drives.