Red Enhanced Silicon Photodiodes

Advanced Photonix Red Enhanced Silicon Photodiodes offer a variety of features and packages for numerous applications. The SD113-24-21-021 is a red enhanced Bi-Cell silicon photodiode with a gap of 100µm. It is ideal for accurate nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-5 metal package. The SD 197-23-21-041 is a red enhanced quad-cell silicon photodiode used for nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-8 metal package.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Empaquetado / Estuche Estilo de montaje Longitud de onda pico Corriente oscura Vr - Tensión inversa Tiempo de establecimiento Tiempo de caída Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Ceramic Package Assembly 48En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

PIN Photodiodes Through Hole 1100 nm 6 nA 75 V 190 ns 45 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodos Blue Enhanced Photodiode 1.420En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

PIN Photodiodes SMD/SMT 1100 nm 2 nA 32 V 20 ns 20 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Photodiode 36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

PIN Photodiodes Wire 660 nm 1 nA 50 V 45 ns 45 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodiodos Bi-Cell Red Enhanced Photodiode Assembly
379Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

PIN Photodiodes TO-5 Through Hole 900 nm 500 pA 50 V 50 ns 15 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Photodiode
160Fecha prevista: 21/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 1100 nm 1.4 nA 50 V 190 ns 13 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodiodos Red Enhanced Photodiode
100Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

PIN Photodiodes Wire 1100 nm 90 nA 50 V - 40 C + 100 C