Resultados: 5
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET 11.660En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg 2.351En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC 8.186En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable 3.324En existencias
3.000Fecha prevista: 04/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
5.967Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 390 W Enhancement Tube