IXSH80N120L2KHV

IXYS
747-IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 392

Existencias:
392 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
10,71 € 10,71 €
8,72 € 87,20 €
7,27 € 872,40 €
6,47 € 3.299,70 €
6,05 € 6.171,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
79 A
39 mOhms
- 5 V, + 20 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 24.4 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 28.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 12.8 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de SiC IXSH80N120L2KHV

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH80N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH80N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.