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NVHL027N65S3F

Name: onsemi NVHL027N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL027N65S3F
Price: 17.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVHL027N65S3F

Fabr. N.º:

NVHL027N65S3F

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG

Hoja de datos:

NVHL027N65S3F Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	17,78 €	17,78 €
	11,22 €	112,20 €
	10,56 €	1.056,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	75 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	27.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	227 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	595 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SuperFET III
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	42 ns
Transconductancia delantera: mín.:	57 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	59 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	147 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	46 ns
Peso unitario:	6 g

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NVHL027N65S3F Hoja de datos

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage AEC-Q101 qualified Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NVHL027N65S3F SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NVHL027N65S3F also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components and improved system reliability.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.