650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density, demanded by various applications. These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 650V SiC MOSFETs offer the best-in-class 20mΩ to 55mΩ low on-resistance range. These MOSFETs feature a peak efficiency above 97% at 137W/inch³ power density. The 650V SiC MOSFETs come in a thermally enhanced, rugged, high-speed, surface-mount TOLL package. Typical applications include AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.933En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.112En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.129En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1.163En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 775En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.058En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.055En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1.129En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 755En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.056En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200