30V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 30V Single N-Channel Power MOSFETs feature a low RDS(ON) (drain-source on-state resistance), which minimizes conductive losses. These devices also feature a low gate charge for fast switching. These N-Channel Power MOSFETs are ideal for battery power management, load switching, motor control, and DC-DC converter applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
956En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 194 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2.489En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2.439En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel