1200V Common Emitter IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V Common Emitter IGBT Modules are part of the TRENCHSTOP™ IGBT7 portfolio that combines a 600A or 800A common emitter with low saturation and a fast trench IGBT module with an emitter-controlled diode. The 1200V Common Emitter IGBT Modules provide higher current capability in existing packages, allowing an increase in inverter output power with the same frame size. The Infineon 1200V Common Emitter IGBT Modules supply high power density, reliability, and flexibility, prepared for three-level configuration.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente de fuga puerta-emisor
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
Hoja de datos
26En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A common emitter IGBT module
Hoja de datos
13En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray