Resultados: 15
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.547En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.498En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
428En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 124En existencias
800Fecha prevista: 31/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 560En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.021En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.592En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
1.560En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 572En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.695En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement