CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
254En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies Controlador de puerta ISOLATED DRIVER
Hoja de datos
592En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
123En existencias
240Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
20En existencias
240Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1



Infineon Technologies Controlador de puerta ISOLATED DRIVER
Hoja de datos
1.310En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
81En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
80En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
151En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
155En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
480Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
480Fecha prevista: 16/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 11 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1