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A2TBH45M65W3-FC

Name: STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-A2TBH45M65W3-FC
Price: 80.07 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-A2TBH45M65W3-FC

Fabr. N.º:

A2TBH45M65W3-FC

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

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Nuevo producto:

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Hoja de datos:

A2TBH45M65W3-FC Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 36

Fecha prevista: 17/02/2026
Plazo de producción de fábrica:: 20

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Precio unitario:

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Precio total:

-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	80,07 €	80,07 €
	66,92 €	669,20 €
	60,04 €	6.484,32 €
504	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Estilo de montaje:	Press Fit
Empaquetado / Estuche:	ACEPACK
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	28 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	72 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
Altura:	12 mm
If - Corriente delantera:	20 A
Longitud:	62.8 mm
Producto:	MOSFET Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	18
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Vf - Tensión delantera:	1.4 V
Anchura:	56.7 mm
Peso unitario:	42 g

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

A2TBH45M65W3-FC Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

A2TBH45M65W3-FC Power Module

STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC Power Module realizes a triple boost plus half-bridge topology in an ACEPACK^™ 2 module with NTC and capacitance. It integrates the current advances in silicon carbide MOSFETs from STMicroelectronics, represented by third-generation technology. This modular solution is used to realize complex topologies with very high power density and efficiency requirements.