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RF4L070BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4L070BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4L070BGTCR
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RF4L070BGTCR

Fabr. N.º:

RF4L070BGTCR

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET DFN2020 N-CH 60V 7A

Hoja de datos:

RF4L070BGTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 3.000

Fecha prevista: 16/06/2026

6.000

Fecha prevista: 18/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,18 €	1,18 €
	0,743 €	7,43 €
	0,492 €	49,20 €
	0,384 €	192,00 €
	0,35 €	350,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,30 €	900,00 €
	0,283 €	1.698,00 €
	0,278 €	2.502,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-2020-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	27 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	7.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5.7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	21 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.7 ns
Alias de parte #:	RF4L070BG

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4L070BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4L070BG N-Channel Power MOSFET is a 60.0V, 7.0A MOSFET featuring a low 27.0mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4L070BG has a 25.0ns (typical) reverse recovery time and a 22.0nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.