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GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 27.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

148-GCMS040B120S1-E1

Fabr. N.º:

GCMS040B120S1-E1

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V SiC COPACK Power Module

Hoja de datos:

GCMS040B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	57 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	52 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	242 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	COPACK Power Module
Tiempo típico de retraso de apagado:	21 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Vf - Tensión delantera:	1.52 V

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Hoja de datos

GCMS040B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.