NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules are part of the VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power module family for EV and HEV traction inverter applications. These SiC modules integrate a 1200V drain-source voltage in a half-bridge configuration and sintering technology for die attachment to enhance reliability and thermal performance. The NVVR26A120M1WSx modules feature an ultra-low RDS(on), an aluminum nitride isolator, and ultra-low 7.1nH stray inductance. These SiC modules operate within a -40°C to +175°C temperature range and come in AHPM-15 packages. The NVVR26A120M1WSx modules are automotive AQG324 compliant and UL 94V-0 flammability rated.

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
onsemi Módulos MOSFET SIC A1HPM 1200 V 24En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount AHPM-15
onsemi Módulos de semiconductores discretos SIC A1HPM 1200 V 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Through Hole