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XBP14E5UFN-G

Name: Torex Semiconductor XBP14E5UFN-G
Brand: Torex Semiconductor
SKU: 865-XBP14E5UFN-G
Price: 0.4 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

865-XBP14E5UFN-G

Fabr. N.º:

XBP14E5UFN-G

Fabr.:

Torex Semiconductor

Descripción:

Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS Low Capacitance TVS Diode Array

Hoja de datos:

XBP14E5UFN-G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,404 €	0,40 €
	0,36 €	36,00 €
	0,353 €	176,50 €
	0,253 €	253,00 €
	0,234 €	585,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,116 €	580,00 €
	0,10 €	1.000,00 €
	0,095 €	2.375,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Torex Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS
RoHS:
Polaridad:	Unidirectional
Número de canales:	4 Channel
Tensión de funcionamiento:	5 V
Estilo de terminación:	SMD/SMT
Voltaje residual:	13 V
Voltaje de disrupción:	6 V
Empaquetado / Estuche:	DFN-2510-10
Ipp - Corriente máxima de pulso:	2.5 A
Cd - Capacitancia de diodo:	0.8 pF
Vesd - Contacto tensión ESD:	8 kV
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Torex Semiconductor
Producto:	TVS Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Hoja de datos

XBP14E5UFN-G Hoja de datos (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays

Torex XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays are mounted adjacent to an external interface to protect an IC installed in a subsequent stage from static discharge. The low capacitance TVS diode array has a junction temperature of 125ºC and a storage temperature of -55 to +150ºC. The arrays also provide a breakdown voltage range (V_BR) of 6V to 9V. The TVS diode array comes in an ideal package size of DFN2510-10A.