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GP2T080A120U

Name: SemiQ GP2T080A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T080A120U
Price: 6.2 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

148-GP2T080A120U

Fabr. N.º:

GP2T080A120U

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

MOSFET de SiC

Hoja de datos:

GP2T080A120U Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.8 V
Qg (carga de compuertas):	58 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	188 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	GP2T080A120U
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	16 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns

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Hoja de datos

GP2T080A120U Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET

SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET offers low capacitance and high system efficiency. This MOSFET features high-speed switching, increased power density, reduced heat-sink size, and a reliable body diode. The GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. This MOSFET can be used in the applications such as solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.