RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
431En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
Comentarios de Producto
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
438En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
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400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube