RBRxx40ATL Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx40ATL Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type low VF diodes with 40V reverse direct voltage (VR). These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in either TO-263S (D²PAK) or TO-252 (DPAK) packages. The RBRxx40ATL barrier diodes from ROHM Semiconductor offer high reliability and operate at -55°C to +150°C temperature range. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Tecnología
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 30A, TO-263S (D2PAK)
Hoja de datos
885En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 40 V 620 mV 100 A 360 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 10A, TO-263S (D2PAK)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 40 V 620 mV 50 A 120 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 20A, TO-263S (D2PAK)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 40 V 620 mV 100 A 240 uA + 150 C Reel