Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

Resultados: 9
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
2.334En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C XDH16G65 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
2.552En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C XDH06G65 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
2.693En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C XDH04G65 Tube

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
750En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C XDW20G65 Tube

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
187En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
335En existencias
500Fecha prevista: 06/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C XDH10G65 Tube

Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
242En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C XDW12G65 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
Hoja de datos
540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C XDH08G65 Tube